發布日期:2018-06-23 點擊數:455
??一、亮度提升
亮度提升是芯片端永恒的主題。芯片廠通過外延程式優化提升內量子效應,通過芯片結構調整提升外量子效應。
不過,一方面芯片尺寸縮小必然導致發光區面積縮小,芯片亮度下降。另一方面,小間距顯示屏的點間距縮小,對單芯片亮度需求有下降。兩者之間是存在互補的關系,但要留有底線。目前芯片端為了降低成本,主要是在結構上做減法,這通常要付出亮度降低的代價,因此,如何權衡取舍是業者要注意的問題。
? ? ? ? 二、尺寸縮小芯片尺寸縮小
表面上看,就是版圖設計的問題,似乎只要根據需要設計更小的版圖就能解決。但是,芯片尺寸的縮小是否能無限的進行下去呢?答案是否定的。有如下幾個原因制約著芯片尺寸縮小的程度:
封裝加工的限制。封裝加工過程中,兩個因素限制了芯片尺寸的縮小。一是吸嘴的限制。固晶需要吸取芯片,芯片短邊尺寸必須大于吸嘴內徑。目前有性價比的吸嘴內徑為80um左右。二是焊線的限制。首先是焊線盤即芯片電極必須足夠大,否則焊線可靠性不能保證,業內報道*小電極直徑45um;其次是電極之間的間距必須足夠大,否則兩次焊線間必然會相互干擾。
芯片加工的限制。芯片加工過程中,也有兩方面的限制。其一是版圖布局的限制。除了上述封裝端的限制,電極大小,電極間距有要求外,電極與MESA距離、劃道寬度、不同層的邊界線間距等都有其限制,芯片的電流特性、SD工藝能力、光刻的加工能力決定了具體限制的范圍。通常,P電極到芯片邊緣的*小距離會限定在14μm以上。
其二是劃裂加工能力的限制。SD劃片+機械裂片工藝都有極限,芯片尺寸過小可能無法裂片。當晶圓片直徑從2英寸增加到4英寸、或未來增加到6英寸時,劃片裂片的難度是隨之增加的,也就是說,可加工的芯片尺寸將隨之增大。以4寸片為例,如果芯片短邊長度小于90μm,長寬比大于1.5:1的,良率的損失將顯著增加。